GLOBAL SEMICONDUCTOR BI-WEEKLY REPORT
* 本简报配图由 AI 生成，仅作版面示意
7月14日，中兴通讯子公司中兴康讯电信、服务器制造商Maginfra及金山云子公司珠海横琴云祥智盛网络科技三家企业，正式获得美国商务部出具的出口许可，获准采购英伟达H200及AMD高端AI芯片。这是继5月阿里、腾讯等首批约10家企业获批后的第二轮扩容。但首批获批企业至今未完成实际交付，许可证落地仍受中美两端复杂审批程序及国内国产替代政策导向制约。
首批约10家企业获批至今零交付，H200中国区出货占比不足3%。
7月2日，英飞凌位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂正式启用，较原计划提前数月投产。该项目总投资50亿欧元，是英飞凌史上最大单笔投资，也是欧盟《芯片法案》IPCEI框架下首个按期落地的标志性工程。工厂采用300mm晶圆工艺，同时覆盖硅基与碳化硅两类功率器件及模拟/混合信号芯片，获欧盟与德国政府约10亿欧元专项补贴，计划新增1000个直接就业岗位。达产后每年有望贡献50亿欧元增量营收。
AI功率半导体市场两年翻三倍，美银上调2028年预测至45亿欧元。
7月10日证监会披露长江存储IPO首期辅导进展报告，中信证券与中信建投联合派出的31名辅导人员完成了现场尽调和集中授课。公司拟募资295亿元，目前在全球3D NAND市场份额约13%（2026年Q1），在武汉拥有两座晶圆厂、月产能约20万片，三期项目（投资207亿元）已在建设中。辅导发现的待解决问题包括股东穿透核查工作量大、公司治理和内控体系需完善。
31人辅导团规模罕见；无控股股东，国资与产业资本交叉持股。
国产DRAM龙头长鑫科技于7月16日开启申购，发行价8.66元/股，初始募资295亿元，若行使超额配售权最高可达666亿元，创科创板开板以来融资纪录。公司上半年预计实现营收1100亿至1200亿元，归母净利润500亿至570亿元，全球DRAM市场份额约8%位列第四。长鑫存储正加速布局DDR6并将引入面板级制程以替代现有生产模式。
净利率超60%，日均盈利近3亿；正在布局DDR6和面板级封装。
6月30日，江苏鲁汶仪器科创板IPO获上交所受理，拟募资25亿元。其中13.65亿元用于上海临港研发总部和制造基地，11.35亿元投入江苏邳州集成电路装备研发项目。鲁汶仪器成立于2015年，核心产品为离子束设备和等离子体刻蚀设备，辅以化学气相沉积和沾污收集设备。2025年营收6.99亿元，但仍未实现盈利，近三年累计亏损约5.37亿元。
国内少数离子束刻蚀自主技术企业，近三年累亏5.37亿元。
碳化硅衬底企业天科合达科创板IPO申请近日获上交所受理，拟募资27.8亿元加码8/12英寸大尺寸碳化硅衬底产业化，募资中超92%投向扩产项目。公司全球导电型碳化硅衬底市占率15%居前三，华为哈勃投资、宁德时代、大基金等位列股东。但近三年营收从15.52亿元降至9.56亿元，毛利率从19.42%跌至-25.04%，6英寸衬底均价从4781元/片骤降至1696元/片。
华为/宁德/大基金持股，6英寸衬底均价两年跌去65%，毛利为负。
7月初，估值122亿元的东方算芯正式亮相，清华教授、中国半导体行业协会副理事长魏少军出任董事长兼CEO。公司定位为国产算力基础设施综合服务商，覆盖芯片设计服务、算力平台运营和AI解决方案。股东阵容涵盖国有资本和产业投资平台，被视为整合分散的国产算力生态资源、推动从"各自为战"走向"平台级协同"的关键载体。
魏少军挂帅，估值122亿，意在整合分散的国产GPU算力资源。
英飞凌7月2日正式启用德累斯顿智能功率晶圆厂，项目总投资50亿欧元，采用300mm产线同时覆盖硅基与SiC功率器件及模拟/混合信号芯片。工厂较原计划提前数月投产，获欧盟与德国政府约10亿欧元补贴。投产后德累斯顿园区产能直接翻番，新增1000个岗位。英飞凌预期2026财年数据中心相关营收约15亿欧元，2027年目标25亿欧元，美国银行分析师将2028年AI功率半导体收入预测上调至45亿欧元。同期，英飞凌完成了对ams OSRAM非光学传感器业务的收购。
同期完成ams OSRAM传感器收购，强化车规和工业传感一体化。
博通7月6日宣布与苹果扩大长期合作，将在未来五年持续为后者开发和供应定制芯片，合作期限延长至2031年。博通长期为iPhone供应射频、Wi-Fi/蓝牙连接等关键芯片，苹果约占其年收入20%。市场分析认为，此举缓解了资本市场对苹果全面转向自研芯片的担忧，也确保了苹果在AI时代算力与连接需求的稳定供应。苹果CEO库克此前坦言，台积电产能瓶颈已在一定程度上阻碍了iPhone销量。
苹果贡献博通年收入约20%，射频/Wi-Fi模组因认证壁垒短期难替代。
据EET电子工程专辑报道，三星电子最早将于2026年内推出玻璃中介层原型，目标是用玻璃材料替代当前2.5D/3D先进封装中普遍使用的硅中介层。玻璃在电气绝缘性、高频特性和大面积加工成本方面较硅中介层具有理论优势，能有效降低先进封装整体成本。三星正在加速推进该技术的商业化验证。
若量产将冲击台积电CoWoS护城河，但三大工程难题仍需2-3年攻关。
集微网统计显示，2026年上半年全球半导体产业发生约250起并购交易，涵盖芯片设计、设备材料、封测和EDA工具等环节。国内并购活跃度显著提升，黑芝麻智能完成对端侧AI芯片企业亿智电子的收购，中微公司入股设备公司稷以科技，多家上市公司通过横向整合补全产品线。与此同时，上半年31家半导体企业完成IPO备案，7家紧急撤单，彰显资本市场的分化态度。
上半年250起并购+31家IPO备案、7家撤单，行业进入整合期。
7月上旬，半导体封装材料企业康美特正式登陆北交所，开盘涨幅超过520%。康美特主营环氧塑封料和底部填充材料等半导体封装关键耗材。与此同时，年中盘点数据显示，受益于先进封装工艺放量，国内封装材料企业上半年业绩普遍大幅增长，部分厂商涨幅超过200%。国内封装材料正从低端辅材向先进封装核心材料加速渗透。
首日涨超520%；封装材料国产化率不足30%，先进封装打开替代窗口。
国产存储芯片企业芯天下7月15日向港交所二次递交上市申请。公司专注于代码型闪存芯片（NOR Flash和SLC NAND），据弗若斯特沙利文排名，在全球代码型闪存芯片领域位居前五。公司业绩受益于存储周期上行实现大幅增长，此番赴港上市意在借助港股平台拓宽融资渠道，加快产品线从消费级向车规级和工业级升级。
代码型闪存全球前五，二次递表港股，主攻车规级升级。
集邦咨询7月13日发布研报指出，受利基市场需求回温及MLC产线产能转单至SLC NAND等因素影响，2026年下半年SLC NAND价格预计将上涨120%至170%。与此同时，服务器DRAM合约价三季度环比增长13%至18%。AI服务器对HBM及大容量DDR5的旺盛需求仍是存储涨价的核心驱动力，但消费电子端的疲弱需求正在拖累整体涨幅收敛。
SLC NAND最高涨170%，AI虹吸主流产能后利基市场供给缺口扩大。
TrendForce 7月6日发布报告指出，受AI服务器对高端MLCC（多层陶瓷电容器）旺盛需求的拉动，日本村田、韩国三星电机等大厂订单出货比创下历史新高。高端MLCC在GPU主板、AI加速卡和服务器电源中的单机用量成倍增长，产能扩张速度落后于需求爆发，下半年缺货风险显著提升。同时，晶圆代工成熟制程涨价效应已延伸至2027年。
日韩大厂订单出货比创新高；成熟制程涨价已确认延伸至2027年。
SEMI近日发布报告指出，在AI驱动的前沿逻辑、先进存储、测试及封装投资的持续拉动下，全球半导体设备市场正经历新一轮增长浪潮，预计2028年销售额将达创纪录的2295亿美元。同期发布的系列数据还包括：2026年Q1全球半导体设备出货同比增14%；2025年全球半导体材料销售额达732亿美元历史新高；2026年Q1全球硅晶圆出货量同比增13%。
2028年设备销售2295亿美元；同期材料732亿、硅晶圆出货增13%。
三星在7月中旬举办的Display Week 2026上发布了Flex Titanium可折叠显示技术，实现了屏幕折叠寿命突破50万次、折痕几乎不可见的行业新标杆。该技术的量产将对移动芯片设计提出新需求——更小尺寸、更低功耗的显示驱动IC和触控IC，以及支持双屏独立渲染的SoC架构。三星计划2027年上半年在旗舰机型上首发搭载，备货预期上调至1000万台。
折叠寿命50万次，备货1000万台，利好显示驱动IC厂商。
2026年7月上半月，全球半导体产业延续"冰火两重天"格局。A股与港股半导体IPO窗口密集打开——长江存储首期辅导完成、长鑫科技科创板申购启动、天科合达与鲁汶仪器同获受理，资本市场的"半导体含量"正在急剧提升。海外方面，英飞凌50亿欧元德累斯顿工厂投产标志着欧盟《芯片法案》进入实物落地阶段，功率半导体在AI产业链中的"瓶颈地位"被重新定价。TrendForce接连上调存储和MLCC价格预期，SLC NAND最高170%的涨幅揭示了AI需求虹吸下的利基市场供给刚性。值得持续跟踪的核心产业变量包括：长鑫科技上市后股价对存储板块估值对标的影响、第二批H200许可能否突破"许可不交付"困局、天科合达在亏损状态下逆势扩产的财务可持续性、以及Q3存储价格分化走势是趋势还是波动。整体而言，AI基础设施建设仍是全产业链确定性最强的主线逻辑，但地缘政治扰动和消费类需求疲软构成两端牵制，半导体行业正处于"超级周期"与"结构性分化"深度交织的历史性十字路口。